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CS1半导体型圆片瓷介电容器(Class Ⅲ)

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产品描述
参数

CS1半导体型圆片瓷介电容器(Class Ⅲ)

 

  特性:

  大容量、小体积

  适用于绝缘电阻低的低阻抗电路

 

  常规性能:

 

工作温度范围 -25℃ to+85℃
电容量 在 1KHz±20%,0.1±0.01Vrms 下测试,容量在允许偏差范围内
Within the Specified Tolerance at 1KHz±20%,0.1±0.01Vrms
电容量公差 K:±10%,M:±20%, Z:+80-20%
损耗(DF) Y5P:DF≤3.5%, Y5U:DF≤5.0%,
Y5V:DF≤7.5% at 1KHz±20%,0.1±0.01Vrms
额定电压(U R ) 16V,25V,50V
耐电压 1.5UR for2 to 5S(Charge/Discharge current≤50mA)
绝缘电阻 (IR) 16V:100MΩ or 10 MΩuF 1 minute electrification
25V、50V:1000MΩ or 20 MΩuF 1 minute electrification

 

  电容量规格:

 

额定电压

电容量(pF)

外形尺寸(mm)

温度特性

DC

Y5P(B)

Y5U(E)

Y5V(F)

D

F ±1.0

16V

 

100000

100000

05

2.5

or

5.0

 

06

   

220000

08

25V

   

40000 ~ 47000

04

10000

40000 ~ 47000

50000 ~ 68000

05

15000 ~ 27000

 

100000

06

33000 ~ 47000

82000 ~ 100000

 

07

47000 ~ 68000

150000

 

08

 

220000

220000

09

82000 ~ 100000

   

10

50V

   

10000 ~ 22000

04

10000 ~ 15000

10000 ~ 33000

33000 ~ 47000

05

18000 ~ 27000

40000 ~ 47000

50000 ~ 68000

06

 

82000 ~ 100000

100000

07

33000 ~ 68000

   

08

   

220000

09

100000

   

12

  注:100V 以上产品可根据顾客要求提供

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