CS1半导体型圆片瓷介电容器（Class Ⅲ）

特性：　　大容量、小体积　　适用于绝缘电阻低的低阻抗电路　　常规性能: 工作温度范围 -25℃ to+85℃ 电容量在 1KHz±20%，0.1±0.01Vrms 下测试，容量在允许偏差范围内 Within the Specified Tolerance at 1KHz±20%，0.1±0.01Vrms

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CS1半导体瓷型圆片瓷介电容器

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产品描述

CS1半导体型圆片瓷介电容器（Class Ⅲ）

　　特性：

　　大容量、小体积

　　适用于绝缘电阻低的低阻抗电路

　　常规性能:

工作温度范围	-25℃ to+85℃
电容量	在 1KHz±20%，0.1±0.01Vrms 下测试，容量在允许偏差范围内 Within the Specified Tolerance at 1KHz±20%，0.1±0.01Vrms
电容量公差	K：±10%,M：±20%, Z：+80-20%
损耗(DF)	Y5P：DF≤3.5%, Y5U：DF≤5.0%, Y5V：DF≤7.5% at 1KHz±20%，0.1±0.01Vrms
额定电压(U R )	16V，25V，50V
耐电压	1.5UR for2 to 5S（Charge/Discharge current≤50mA）
绝缘电阻 (IR)	16V：100MΩ or 10 MΩuF 1 minute electrification 25V、50V：1000MΩ or 20 MΩuF 1 minute electrification

　　电容量规格:

额定电压	电容量(pF)			外形尺寸(mm)
额定电压	温度特性			外形尺寸(mm)
DC	Y5P(B)	Y5U(E)	Y5V(F)	D	F ±1.0
16V		100000	100000	05	2.5 or 5.0
		100000	100000	06
			220000	08
25V			40000 ～ 47000	04
	10000	40000 ～ 47000	50000 ～ 68000	05
	15000 ～ 27000		100000	06
	33000 ～ 47000	82000 ～ 100000		07
	47000 ～ 68000	150000		08
		220000	220000	09
	82000 ～ 100000			10
50V			10000 ～ 22000	04
	10000 ～ 15000	10000 ～ 33000	33000 ～ 47000	05
	18000 ～ 27000	40000 ～ 47000	50000 ～ 68000	06
		82000 ～ 100000	100000	07
	33000 ～ 68000			08
			220000	09
	100000			12